Además de reemplazar uno de los átomos de la red con un átomo del Grupo 3, también podemos reemplazarlo por un átomo con cinco electrones de valencia, como los átomos del Grupo 5 de arsénico (As) o fósforo (P).En este caso, la impureza agrega cinco electrones de valencia a la red donde solo puede contener cuatro. Esto significa que ahora hay un electrón en exceso en la red (ver figura a continuación).Porque dona un electrón, una impureza del grupo 5 se llama donante.
Las impurezas donantes donan electrones cargados negativamente a la red, por lo que un semiconductor que ha sido dopado con un donante se llama semiconductor de tipo n; "n" significa negativo.Los electrones libres superan en número a los agujeros en un material de tipo n, por lo que los electrones son los portadores mayoritarios y los agujeros son los portadores minoritarios.
[Los diodos de unión p-n están compuestos por dos piezas adyacentes de materiales semiconductores de tipo p y tipo n. Los materiales de tipo p y tipo n son simplemente semiconductores, como el silicio (Si) o el germanio (Ge),con impurezas atómicasEl proceso de adición deliberada de impurezas a los materiales se llama dopado.los semiconductores con impurezas se denominan "semiconductores dopados";.]
Además de reemplazar uno de los átomos de la red con un átomo del Grupo 3, también podemos reemplazarlo por un átomo con cinco electrones de valencia, como los átomos del Grupo 5 de arsénico (As) o fósforo (P).En este caso, la impureza agrega cinco electrones de valencia a la red donde solo puede contener cuatro. Esto significa que ahora hay un electrón en exceso en la red (ver figura a continuación).Porque dona un electrón, una impureza del grupo 5 se llama donante.
Las impurezas donantes donan electrones cargados negativamente a la red, por lo que un semiconductor que ha sido dopado con un donante se llama semiconductor de tipo n; "n" significa negativo.Los electrones libres superan en número a los agujeros en un material de tipo n, por lo que los electrones son los portadores mayoritarios y los agujeros son los portadores minoritarios.
[Los diodos de unión p-n están compuestos por dos piezas adyacentes de materiales semiconductores de tipo p y tipo n. Los materiales de tipo p y tipo n son simplemente semiconductores, como el silicio (Si) o el germanio (Ge),con impurezas atómicasEl proceso de adición deliberada de impurezas a los materiales se llama dopado.los semiconductores con impurezas se denominan "semiconductores dopados";.]
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